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申请/专利权人:广东电网有限责任公司电力科学研究院;华中科技大学
摘要:本发明属于智能监测装置技术领域,公开了一种SiCMOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法,借助电流传感器判断负载电流方向,当负载电流反向流过待测器件且待测器件导通时,触发在线监测程序;使用电流源抽取待测器件输入电容的电荷,使待测器件栅极电压在恒定电流作用下不断降低,同时使用运算放大器构成微分运算电路实时测量dVgsdt;比较器的参考值设置为Vref,当Ciss降低至Cref时,VdifdVgsdt增大至Vref,比较器输出电压Vcmp拉高,RS锁存器输出信号Q拉低,关断N‑MOSFETS2,切断电流源输出,使得待测器件Vgs锁存在Vref;RS锁存器的反向输出nQ拉高,触发ADC对Vgs进行采样,将此时的Vref采集进入微控制器进行记录,通过和过去值的对比,判断栅极氧化物的健康状态。
主权项:1.一种SiCMOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法,其特征在于,利用电流传感器判断电流方向,当负载电流反向流过待测器件且待测器件处于导通状态时,触发在线监测程序;然后,通过给待测器件输入电容放电,测量栅极电压变化率,并使用比较器将其与栅极电压变化率参考值进行比较;当栅极电容降低至设定的栅极电容参考值时,比较器输出信号触发锁存器,将待测器件栅极电压锁存在栅极电容参考值;最后,通过采样和记录栅极电压的数值,并与过去的数值进行比较,就可以判断栅极氧化物的健康状态。
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百度查询: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 华中科技大学 SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法
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