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申请/专利权人：山西中来光能电池科技有限公司
摘要：本发明提供了一种异质钝化隧穿氧化背接触式电池及其制备方法，其结构包括硅片衬底，硅片衬底的正面设置氮化硅钝化层；硅片衬底的背面形成相互交替阵列的p+区域和n+区域，相邻的p+区域与n+区域之间由氮化硅层进行间隔，p+区域由内至外依次设置本征非晶硅层、硼掺杂非晶硅层、TCO薄膜和p+区域金属电极，n+区域由内至外依次设置隧穿氧化层、n+poly层和n+区域金属电极。本发明基于PVD技术在电池背面n+区域制备TOPCon结构，在电池背面p+区域制备HJT结构。最终实现通过更好的钝化方式以及更低的寄生光吸收使得电池Isc、Voc都有所提升，电池的最终效率相较于TOPCon提升0.25～0.35％左右。
主权项：1.一种异质钝化隧穿氧化背接触式电池，包括硅片衬底，其特征在于，所述硅片衬底的正面设置氮化硅钝化层；所述硅片衬底的背面形成相互交替阵列的p+区域和n+区域，相邻的p+区域与n+区域之间由氮化硅层进行间隔，所述p+区域由内至外依次设置本征非晶硅层、硼掺杂非晶硅层、TCO薄膜和p+区域金属电极，所述n+区域由内至外依次设置隧穿氧化层、n+poly层和n+区域金属电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山西中来光能电池科技有限公司 一种异质钝化隧穿氧化背接触式电池及其制备方法
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