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申请/专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司

摘要：本发明涉及一种碳化硅结势垒肖特基二极管结构，属于功率半导体技术领域；包括底部的阴极金属层、N+衬底层、N型缓冲层、第一N‑外延层、内置P型区、内置多晶硅、N+注入区、隔离介质层、第二N‑外延层、P+区、肖特基接触层、欧姆接触层以及顶部的阳极金属层；第一N‑外延层位于第二N‑外延层下方，在两者的交界处设置N+注入区和隔离介质层；U型分布的内置P型区位于隔离介质层下方，内部设置与阳极金属层相连的内置多晶硅。本发明二极管结构在截止状态具有更小的泄漏电流，同时有效降低了由于高能粒子辐射导致的泄漏电流增大，改善了肖特基结处的强电场分布，大幅提升了碳化硅结势垒肖特基二极管的抗单粒子烧毁能力。

主权项：1.一种碳化硅结势垒肖特基二极管结构，其特征在于：包括阴极金属层201、N+衬底层202、N型缓冲层203、第一N-外延层204、2个内置P型区205、2个内置多晶硅206、3个N+注入区207、2个隔离介质层208、第二N-外延层209、2个P+区210、3个肖特基接触层211、2个欧姆接触层212和阳极金属层213；其中，阴极金属层201水平设置在最底层；N+衬底层202位于所述阴极金属层201的上表面；N型缓冲层203位于所述N+衬底层202的上表面；第一N-外延层204位于所述N型缓冲层203的上表面；内置P型区205呈U型布局；2个内置P型区205位于第一N-外延层204内部顶部；每个内置多晶硅206的左右侧壁和底部被1个内置P型区205包围，与第一N-外延层204不接触；3个N+注入区207间隔位于所述第一N-外延层204的上表面；2个隔离介质层208设置于所述第一N-外延层204的上表面；每个隔离介质层208位于相邻2个N+注入区207之间，且3个N+注入区207、2个隔离介质层208上表面齐平；第二N-外延层209位于所述N+注入区207和隔离介质层208的上表面；2个P+区210对称设置在所述第二N-外延层209的内部顶部，且P+区210的顶部与第二N-外延层209上表面平齐；3个肖特基接触层211间隔覆盖在第二N-外延层209上，相邻两个肖特基接触层211之间的间隔宽度对应P+区210的间隔一致；相邻两个肖特基接触层211之间设置1个欧姆接触层212；欧姆接触层212宽度与P+区210一致，左右与相邻的肖特基接触层211接触；阳极金属层213，覆盖在肖特基接触层211和欧姆接触层212的上表面；所述内置多晶硅206通过导电通路与阳极金属层213相互连接；所述N+注入区207和隔离介质层208横向交替设置在第一N-外延层204与第二N-外延层209之间，其中N+注入区207作为连接两者的导电通道。

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