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申请/专利权人：北京邮电大学
摘要：本申请提供一种中波红外探测器、探测器探测方法及制备方法，所述中波红外探测器的器件结构包括：依次相连的衬底、缓冲层、第一接触层、吸收层、势垒层、第二接触层和盖层；第一接触层和吸收层分别包含有多个依次叠设的第一材料层，第一材料层包括依次叠设的第一InAs材料层和第一GaSb材料层；势垒层和第二接触层分别包含有多个依次叠设的第二材料层，第二材料层包括依次叠设的第二InAs材料层、第二GaSb材料层、AlSb材料层和第三GaSb材料层。本申请中的中波红外探测器经测试在77K时拥有较好的量子效率，同时在保证量子效率的前提下有效抑制了暗电流水平，进而提升探测器的工作性能。
主权项：1.一种中波红外探测器，其特征在于，所述中波红外探测器的器件结构包括：依次相连的衬底、缓冲层、第一接触层、吸收层、势垒层、第二接触层和盖层；所述第一接触层和吸收层分别包含有多个依次叠设的第一材料层，所述第一材料层包括依次叠设的第一InAs材料层和第一GaSb材料层；所述第一接触层和吸收层中均设有Be；所述第一InAs材料层和第一GaSb材料层均为八层单分子层；所述势垒层和第二接触层分别包含有多个依次叠设的第二材料层，所述第二材料层包括依次叠设的第二InAs材料层、第二GaSb材料层、AlSb材料层和第三GaSb材料层；所述势垒层和第二接触层中均设有Si；所述第二InAs材料层、第二GaSb材料层、AlSb材料层和第三GaSb材料层分别为十层单分子层、一层单分子层、五层单分子层和一层单分子层；所述势垒层中的禁带宽度为0.5725eV。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京邮电大学 中波红外探测器、探测器探测方法及制备方法
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