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一种ITO电流扩展层及其粗化提亮方法及含有其的LED芯片 

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申请/专利权人:江西兆驰半导体有限公司

摘要:本发明涉及半导体的技术领域,公开了一种ITO电流扩展层及其粗化提亮方法及含有其的LED芯片,所述ITO电流扩展层包括第一ITO电流扩展层和第二ITO电流扩展层,所述粗化提亮方法包括:1采用磁控溅射蒸镀第一ITO电流扩展层,并进行第一次退火;2于第一ITO膜上采用电子束蒸发蒸镀第二ITO电流扩展层,并进行第二次退火。本发明中结合磁控溅射和电子束蒸镀方式,沉积了两种表面粗糙度和折射率不同的ITO膜层,十分有效且稳定地提高了光提取效率,增强了LED芯片的发光亮度,能够适用于工业量产。

主权项:1.一种ITO电流扩展层的粗化提亮方法,其特征在于,所述ITO电流扩展层包括第一ITO电流扩展层和第二ITO电流扩展层,所述粗化提亮方法包括:1采用磁控溅射蒸镀第一ITO电流扩展层,并进行第一次退火;2于第一ITO膜上采用电子束蒸发蒸镀第二ITO电流扩展层,并进行第二次退火。

全文数据:

权利要求:

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