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申请/专利权人：海宁九色光芯片科技有限责任公司
摘要：本发明公开了一种单片集成光谱识别芯片的制备方法及光谱识别芯片，涉及光谱识别芯片技术领域。方法包括：在P型硅衬底的上表面刻蚀沟槽并填充绝缘材料，在沟槽所围区域掺杂磷原子形成N阱，沿N阱区域边长掺杂磷原子，形成N型重掺杂区域，蚀刻N阱中N型重掺杂区域之外的区域后沉积铝合金，形成金属超表面结构，设置第一电极和第二电极并沉积二氧化硅，蚀刻第一通孔和第二通孔并填充通孔金属材料，设置第一金属材料与第一电极连接，设置第二金属材料与第二电极连接，得到单片集成的光谱识别芯片。本发明通过设置金属超表面结构，使单片集成光谱识别芯片具有高集成、体积小的优点。
主权项：1.一种单片集成的光谱识别芯片的制备方法，其特征在于，包括：在P型硅衬底的上表面，利用CMOS流片中浅槽隔离工艺沿着P型硅衬底的周长刻蚀沟槽；向沟槽中填充HDP绝缘材料；通过离子注入工艺制备，在P型硅衬底上所述沟槽所围区域掺杂磷原子使P型硅衬底部分转变为N型，所述沟槽所围区域形成N阱；通过离子注入工艺沿N阱区域边长掺杂磷原子，形成N型重掺杂区域；按照纳米柱阵列模型蚀刻N阱中N型重掺杂区域之外的区域后沉积铝合金，形成金属超表面结构；所述金属超表面结构为N阱中N型重掺杂区域之外的区域内沉积有铝合金的纳米柱阵列；在N型重掺杂区域和金属超表面结构之间设置第一电极，在N型重掺杂区域上设置第二电极，形成初始衬底；在初始衬底上表面沉积二氧化硅；蚀刻第一电极上方的二氧化硅材料，形成第一通孔；蚀刻第二电极上方的二氧化硅材料，形成第二通孔；在第一通孔和第二通孔中均填充通孔金属材料；通过磁控溅射第一金属材料；第一金属材料通过第一通孔中填充的通孔金属材料与第一电极连接；通过磁控溅射设置第二金属材料；第二金属材料通过第一通孔中填充的通孔金属材料与第二电极连接，得到单片集成的光谱识别芯片。
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权利要求：
百度查询： 海宁九色光芯片科技有限责任公司 一种单片集成光谱识别芯片的制备方法及光谱识别芯片
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