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申请/专利权人：成都芯进电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种欠压保护电路，涉及芯片安全技术领域。本发明的欠压保护电路包括MOS管、第一电阻、第二电阻、可调电压源和迟滞比较器；第一电阻、MOS管、第二电阻依次串联组成分压网络；其中，MOS管的漏级串联第一电阻，第一电阻的另一端连接外部电源的输出端，MOS管的源极串联所述第二电阻，第二电阻的另一端接地；MOS管的栅源连接可调电压源的输出端，MOS管的源极还引线至迟滞比较器的输入端；迟滞比较器根据分压电压和标准电压的比较结果输出控制信号，用于控制芯片开关电路的开启和关闭。本发明的方案能够提升电路的抗干扰能力，降低了欠压保护电路误报信号的概率，并且有效降低欠压保护电路的面积和功耗，并实现欠压保护电路的零待机电流。
主权项：1.一种欠压保护电路，其特征在于，应用于集成电路芯片，所述欠压保护电路包括MOS管、第一电阻、第二电阻、可调电压源和迟滞比较器；所述第一电阻、MOS管、第二电阻依次串联形成分压网络，其中，所述第一电阻的一端连接MOS管的漏级，另一端连接外部电源的输出端，所述MOS管的源极串联所述第二电阻后接地；所述MOS管的栅极连接所述可调电压源的输出端，MOS管的源极还连接所述迟滞比较器，用于将分压电压输入至所述迟滞比较器中；所述迟滞比较器根据所述分压电压和标准电压的比较结果输出控制信号，用于控制芯片开关电路的开启和关闭。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都芯进电子股份有限公司 一种欠压保护电路
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