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申请/专利权人：丰田合成株式会社
摘要：本发明涉及包含Al作为必需构成要素的p型第III族氮化物半导体的制造方法。使包含Al作为必需构成要素的p型第III族氮化物半导体的载流子浓度提高。通过MOCVD法在发光层13上形成由掺杂Mg的AlGaN构成的电子阻挡层14。这里，电子阻挡层14以p型化的热处理前的H浓度与Mg浓度之比HMg成为50～100％的方式形成。HMg可以通过电子阻挡层14的生长温度、VIII比、Mg浓度等来控制。
主权项：1.一种p型第III族氮化物半导体的制造方法，其特征在于，在Al组成为60摩尔%～90摩尔%的掺杂Mg的p型第III族氮化物半导体的制造方法中，在p型化的热处理前，以晶体中的H浓度与Mg浓度之比成为50～100%的方式形成Al组成为60摩尔%～90摩尔%的掺杂Mg的第III族氮化物半导体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 丰田合成株式会社 p型第III族氮化物半导体的制造方法
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