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申请/专利权人：亿而得微电子股份有限公司

摘要：一种单闸极多次写入非挥发性内存阵列及其操作方法，此单闸极多次写入非挥发性内存阵列包含多个位元线、多组共源线与多个子内存阵列，于每一子内存阵列中，第一记忆晶胞连接第一位元线与第一组共源线的一共源线，第二记忆晶胞连接第一位元线与第一组共源线的另一共源线，第一、第二记忆晶胞互相对称配置，并位于第一位元线的同一侧。藉由本发明对应元件提出的操作条件，可以使用最少的控制电压种类及最少的元件，能够大幅缩短控制线路的长度，达到缩小整体面积的效果，从而减少生产成本。

主权项：1.一种单闸极多次写入非挥发性内存阵列，其特征在于，包含：多条平行的位元线，其包含一第一位元线；多条平行的共源线，其与多条位元线互相垂直，并区分为多组共源线，多组共源线包含一第一组共源线，该第一组共源线包含一第一共源线和一第二共源线；以及多个子内存阵列，每一子内存阵列连接一位元线与一组共源线，每一子内存阵列包含：一第一记忆晶胞，其连接该第一位元线与该第一共源线；以及一第二记忆晶胞，其连接该第一位元线与该第二共源线，该第一记忆晶胞、该第二记忆晶胞互相对称配置，并位于该第一位元线的同一侧；其中，该第一记忆晶胞更包含：场效晶体管，该场效晶体管设置于半导体基底，并包括第一介电层、第一导电闸极与多个离子掺杂区，该第一介电层位于该半导体基底表面，该第一导电闸极迭设于该第一介电层上，该多个离子掺杂区设于该半导体基底内并位于该第一导电闸极的两侧，分别形成源极及汲极，该源极和该汲极的宽度不同；以及电容，该电容设置于该半导体基底，该电容利用该汲极的边缘来控制一浮动闸极，且该汲极与该浮动闸极中间包含轻掺杂区，该轻掺杂区与该多个离子掺杂区具有同型的离子，并形成该第一记忆晶胞的单浮接闸极；该汲极的边缘位在该浮动闸极中间区域；该场效晶体管的该汲极连接该第一组共源线的该第一共源线，该源极连接该第一位元线，该汲极边缘连接该浮动闸极，该电容的一端连接该浮动闸极，另一端连接该第一位元线，以接收该第一位元线的偏压，该场效晶体管接收该第一位元线与该第一共源线的偏压来对于该浮动闸极的数据进行写入、抹除或读取；其中，该第二记忆晶胞更包含：场效晶体管，该场效晶体管设置于该半导体基底，并包括第一介电层、第一导电闸极与多个离子掺杂区，该第一介电层位于该半导体基底表面，该第一导电闸极迭设于该第一介电层上，该多个离子掺杂区设于该半导体基底内并位于该第一导电闸极的两侧，分别形成源极及汲极，该源极和该汲极的宽度不同；以及电容，该电容设置于该半导体基底，该电容利用该汲极的边缘来控制一浮动闸极，且该汲极与该浮动闸极中间包含轻掺杂区，该轻掺杂区与该多个离子掺杂区具有同型的离子，并形成该第二记忆晶胞的单浮接闸极；该汲极的边缘位在该浮动闸极中间区域；该场效晶体管的该汲极连接该第一组共源线的该第二共源线，该源极连接该第一位元线，该汲极边缘连接该浮动闸极，该电容的一端连接该浮动闸极，另一端连接该第一位元线，以接收该第一位元线的偏压，该场效晶体管接收该第一位元线与该第二共源线的偏压来对于该浮动闸极的数据进行写入、抹除或读取。

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