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申请/专利权人：江苏尚飞光电科技股份有限公司
摘要：本发明提供一种日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器，包括基板层、第一宽禁带半导体层、第二宽禁带半导体层、缓冲层、硅基材料层、第一阴极引出端、阳极引出端及第二阴极引出端，其中，第一宽禁带半导体层位于基板层上；第二宽禁带半导体层与缓冲层位于第一宽禁带半导体层上且间隔设置；硅基材料层位于缓冲层上；第一阴极引出端位于第二宽禁带半导体层上；阳极引出端与第二阴极引出端位于硅基材料层上。本发明的日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器是基于硅基和化合物半导体材料集成，可以实现该探测器对380nm以上波段光子的有效抑制，保证了较高的光子探测效率，并改善了制作日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器时的工艺可靠性。
主权项：1.一种日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器，包括多个单像素结构，其特征在于，所述单像素结构包括：基板层；第一宽禁带半导体层，位于所述基板层上；第二宽禁带半导体层与缓冲层，位于所述第一宽禁带半导体层上，且所述第二宽禁带半导体层与所述缓冲层在水平方向上间隔设置；硅基材料层，位于所述缓冲层上，所述硅基材料层中设有第一掺杂区域、第二掺杂区域及第三掺杂区域，所述第二掺杂区域与所述第三掺杂区域在水平方向上间隔设置，所述第一掺杂区域位于所述第二掺杂区域下方并与所述第二掺杂区域接触；第一阴极引出端，位于所述第二宽禁带半导体层上；阳极引出端与第二阴极引出端，位于所述硅基材料层上，且所述阳极引出端与所述第二阴极引出端在水平方向上间隔设置，所述阳极引出端与所述第二掺杂区域接触，所述第二阴极引出端与所述第三掺杂区域接触；所述第一掺杂区域为第一导电类型，所述第二掺杂区域为与所述第一导电类型相反的第二导电类型；所述第二掺杂区域的掺杂浓度高于所述第一掺杂区域的掺杂浓度；所述第一宽禁带半导体层及所述第二宽禁带半导体层的半导体材料，是禁带宽度大于2.2eV的半导体材料；所述探测器在进行日盲紫外线探测时，所述第一阴极引出端接第一电位V1，所述第二阴极引出端接第二电位V2，所述阳极引出端接第三电位V3，其中，V1＞V2＞V3。
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