龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海新微半导体有限公司
摘要：本发明提供一种GaN射频器件及其制备方法，结合牺牲层、刻蚀停止层及钝化层，采用电子束光刻及等离子体刻蚀相结合的方式，可形成具有对称结构的栅极沟槽，可实现套刻自对准工艺，且曝光时间短，制备的栅金属电极的高度不受限，进一步的，在结合栅下介电层的制备，可降低栅金属电极的漏电，且在制备栅金属电极时，牺牲层、栅下介电层的存在均可为光刻胶及金属的剥离提供支撑，以方便剥离光刻胶及金属，避免栅金属电极的脱落。
主权项：1.一种GaN射频器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供含GaN异质结的基底；于所述基底上形成自下而上叠置的钝化层及刻蚀停止层；图形化所述刻蚀停止层及所述钝化层，形成显露所述基底的源漏沟槽；形成填充所述源漏沟槽的源漏金属电极；形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述刻蚀停止层，且所述牺牲层的厚度不受限制；图形化所述牺牲层、所述刻蚀停止层及所述钝化层，形成显露所述基底的栅极沟槽，其中形成所述栅极沟槽的方法包括：进行电子束光刻，形成贯穿所述牺牲层、所述刻蚀停止层及所述钝化层的第一栅极沟槽；基于所述第一栅极沟槽，进行等离子体刻蚀，形成所述栅极沟槽，其中，所述栅极沟槽包括位于所述刻蚀停止层上的第一沟槽及贯穿所述刻蚀停止层与所述钝化层的第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽具有同一中心轴，其中，平行于所述基底的方向定义为长度方向，且所述第一沟槽的长度大于所述第二沟槽的长度，所述第二沟槽的长度大于所述第一栅极沟槽；形成填充所述栅极沟槽的栅金属电极，所述栅金属电极包括头部及足部，且头部栅长大于足部栅长；去除所述牺牲层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海新微半导体有限公司 GaN射频器件及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号