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申请/专利权人：拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
申请日：2023-11-22
公开（公告）日：2024-08-30
公开（公告）号：CN118563287A
专利技术分类：..以加热基体的方法为特征的（C23C16/48、C23C16/50优先）[2006.01]
专利摘要：本发明提供了一种工艺腔室、一种薄膜沉积设备、一种薄膜沉积方法及一种计算机可读存储介质。所述工艺腔室包括加热盘、升降机构、陶瓷环及控制器。所述加热盘用于承载待加工的晶圆。所述升降机构用于驱动所述加热盘进行升降。所述陶瓷环设于所述加热盘之上，并对准所述加热盘。所述陶瓷环包括多层结构，下层设有朝向晶圆传片方向的开口，中层具有全封闭的陶瓷侧壁，而上层的周向设有多个抽气孔。所述控制器被配置为：在传片阶段，经由所述升降机构将所述加热盘调节到所述陶瓷环的下层；在加热阶段，经由所述升降机构将所述加热盘调节到所述陶瓷环的中层，并在工艺阶段，经由所述升降机构将所述加热盘调节到所述陶瓷环的上层。
专利权项：1.一种工艺腔室，其特征在于，包括：加热盘，用于承载待加工的晶圆；升降机构，用于驱动所述加热盘进行升降；陶瓷环，设于所述加热盘之上，并对准所述加热盘，其中，所述陶瓷环包括多层结构，下层设有朝向晶圆传片方向的开口，中层具有全封闭的陶瓷侧壁，而上层的周向设有多个抽气孔；以及控制器，被配置为：在传片阶段，经由所述升降机构将所述加热盘调节到所述陶瓷环的下层；在加热阶段，经由所述升降机构将所述加热盘调节到所述陶瓷环的中层，并在工艺阶段，经由所述升降机构将所述加热盘调节到所述陶瓷环的上层。
百度查询： 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司 工艺腔室、薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质
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