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申请/专利权人：清华大学
摘要：本申请涉及一种电容结构及其制作方法，第一屏蔽电极膜包覆在第一介电质主体外表面的部分区域，第一介电质主体的另一外表面的部分区域形成第一非包覆区域和第二非包覆区域，第一电极元件经第一非包覆区域与第一介电质主体相连，第二屏蔽电极膜包覆在第二介电质主体的外表面的部分区域，第二介电质主体的另一外表面的部分区域形成有第三非包覆区域和第四非包覆区域，第二电极元件经第三非包覆区域与第二介电质主体相连。调整第二非包覆区域的区域面积大小可控制该电容结构中位于第一电极元件和第二电极元件之间的电场线的数量，由此控制该电容结构的容值大小，减小边缘效应对该电容结构的电容值的影响，实现aF到fF量级的微小电容输出。
主权项：1.一种电容结构，其特征在于，所述电容结构包括：第一单元结构，所述第一单元结构包括第一介电质主体、第一屏蔽电极膜和第一电极元件，所述第一屏蔽电极膜包覆在所述第一介电质主体外表面的部分区域，并且所述第一介电质主体外表面的另外两个部分区域分别形成有未被所述第一屏蔽电极膜包覆的第一非包覆区域和第二非包覆区域，所述第一电极元件经所述第一非包覆区域与所述第一介电质主体相连；第二单元结构，所述第二单元结构包括第二介电质主体、第二屏蔽电极膜和第二电极元件，所述第二屏蔽电极膜包覆在所述第二介电质主体外表面的部分区域，并且所述第二介电质主体外表面的另外两个部分区域分别形成有未被所述第二屏蔽电极膜包覆的第三非包覆区域和第四非包覆区域，所述第二电极元件经所述第三非包覆区域与所述第二介电质主体相连；其中，所述第一单元结构和所述第二单元结构相连，且所述第一介电质主体上的第二非包覆区域和所述第二介电质主体的第四非包覆区域朝向相对。
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权利要求：
百度查询： 清华大学 电容结构及其制作方法
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