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申请/专利权人：苏州悉芯射频微电子有限公司
摘要：本发明属于放大器技术领域，为一种高可靠性低噪声放大器，包括输入MOSFET管M1以及共栅极MOSFET管M2；输入MOSFET管M1的漏极连接输入信号RFIN，输入MOSFET管M1的漏极与共栅极MOSFET管M2的源极连接，共栅极MOSFET管M2的栅极连接栅极电压Vg2；输入信号RFIN与输入MOSFET管M1的栅极之间依次设置有射频开关SW1、一端接地的第一级输入限幅网络以及一端接地的第二级输入限幅网络；输入信号RFIN连接射频开关SW2的一端，射频开关SW2的另一端接地；功率检测反馈控制网络用于检测经过第一级限幅网络后的信号Vdet1，和共栅极MOSFET管M2的漏端信号Vdet2，并控制射频开关的开启和关断，本发明极大地增强了主体电路的自我保护能力，解决现有低噪声放大器存在被瞬间击毁，造成永久性损坏的问题。
主权项：1.一种高可靠性低噪声放大器，其特征在于，包括低噪声放大器的主体电路和功率检测反馈控制网络，所述主体电路包括：输入MOSFET管M1以及共栅极MOSFET管M2，输入MOSFET管M1的源极连接源极电感Ls，源极电感Ls的另一端接地；输入MOSFET管M1的栅极连接输入信号RFIN，输入MOSFET管M1的漏极与共栅极MOSFET管M2的源极连接，共栅极MOSFET管M2的栅极连接漏极电压Vg2，共栅极MOSFET管M2的漏极作为输出端；输入信号RFIN与输入MOSFET管M1的栅极之间依次设置有射频开关SW1、一端接地的第一级输入限幅网络以及一端接地的第二级输入限幅网络；输入信号RFIN连接射频开关SW2的一端，射频开关SW2的另一端接地；功率检测反馈控制网络用于检测经过第一级限幅网络后的信号Vdet1，并输出检波标示信号PD1；以及共栅极MOSFET管M2的栅端信号Vdet2，并输出检波标示信号PD2；检波标示信号PD1和检波标示信号PD2经过逻辑控制处理后，输出控制信号EN1和控制信号EN2，控制信号EN1控制射频开关SW1的开启和关断，控制信号EN2控制射频开关SW2的开启和关断。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州悉芯射频微电子有限公司 一种高可靠性低噪声放大器
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