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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海华力集成电路制造有限公司

摘要：本发明公开了一种存算一体单元结构，SRAM存储单元包括由两个CMOS反相器连接形成的存储单元主体电路和单端写入电路，单端写入电路的第一传输管和一个存储节点连接。功能切换单元包括连接在两根读位线之间的两个存储数据控制管，存储数据控制管之间的中间节点和操作信号线之间连接操作信号控制管，两个存储数据控制管的栅极分别连接两个存储节点，操作信号控制管的栅极连接读字线。在存储器配置状态的单端写入状态下，第一传输管导通，写位线上数据写入；在双端读取状态下，操作信号控制管导通，存储节点所存储信息控制两个读位线和操作信号线之间的导通关系并实现读取。本发明能实现单端写入双端读取的存储模式，还能实现多布尔逻辑运算和CAM搜索。

主权项：1.一种存算一体单元结构，其特征在于，包括：SRAM存储单元和功能切换单元；所述SRAM存储单元包括由第一CMOS反相器和第二CMOS反相器连接形成的存储单元主体电路，所述第一CMOS反相器的输出端和所述第二CMOS反相器的输入端都连接在第一存储节点，所述第一CMOS反相器的输入端和所述第二CMOS反相器的输出端都连接在第二存储节点；所述SRAM存储单元还包括单端写入电路，所述单端写入电路包括一个第一传输管、一根写位线和一个写字线，所述写字线连接所述第一传输管的栅极，所述第一传输管的第一源漏极连接所述写位线，所述第一传输管的第二源漏极连接所述第一存储节点和所述第二存储节点中的一个；所述功能切换单元包括：连接在所述第一读位线和中间节点之间的第一存储数据控制管；连接在所述第二读位线和所述中间节点之间的第二存储数据控制管，所述第一存储数据控制管和所述第二存储数据控制管的沟道导电类型相同；串联在所述中间节点和操作信号线之间的操作信号控制管；所述第一存储数据控制管的栅极连接所述第一存储节点；所述第二存储数据控制管的栅极连接所述第二存储节点；所述操作信号控制管的栅极连接读字线；所述存算一体单元结构包括存储器配置状态；所述存储器配置状态的信号设置包括：在单端写入状态下，所述写字线有效并使所述第一传输管导通，所述写位线上的数据写入到所述第一传输管的第二源漏极所连接的存储节点并实现对所述SRAM存储单元的写入；在双端读取状态下，所述读字线有效并使所述操作信号控制管导通，所述第一存储节点所存储的第一存储信号和所述第二存储节点所存储的第二存储信号互为反相使所述第一存储数据控制管和所述第二存储数据控制管一个导通并从而分别控制所述第一读位线和所述操作信号线之间的路径的通断以及所述第二读位线和所述操作信号线之间的路径的通断，通过所述第一读位线和所述第二读位线读取所述SRAM存储单元的所述第一存储信号和所述第二存储信号。

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