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申请/专利权人:扬州虹扬科技发展有限公司
摘要:本发明公开一种半导体器件的玻璃钝化方法,涉及晶粒加工方法技术领域,包括以下步骤:S1:氧化:将硅片放置于氧化炉中进行氧化,形成氧化硅片;S2:激光开槽:采用激光对氧化硅片的硼面进行加工,得到切割硅片;S3:腐蚀:将切割硅片放入腐蚀液中进行腐蚀,然后采用纯水进行冲洗得到腐蚀硅片;S4:电泳:将腐蚀硅片放置于电泳液中进行电泳,得到电泳硅片;S5:熔凝:将电泳硅片放置于熔凝炉中进行凝固,最后得到成品。本发明解决了现有钝化工艺产生的鸟嘴易产生尖角,从而导致晶粒打火的现象的技术问题。
主权项:1.一种半导体器件的玻璃钝化方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:氧化:将硅片放置于氧化炉中进行氧化,形成氧化硅片;S2:激光开槽:采用激光对所述氧化硅片的硼面进行加工,得到切割硅片;S3:腐蚀:将切割硅片放入腐蚀液中进行腐蚀,然后采用纯水进行冲洗得到腐蚀硅片;S4:电泳:将腐蚀硅片放置于电泳液中进行电泳,得到电泳硅片;S5:熔凝:将电泳硅片放置于熔凝炉中进行凝固,最后得到成品。
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