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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种熔丝器件及形成方法，包括：P型衬底；位于P型衬底内的N型轻掺杂区，N型轻掺杂区的表面与P型衬底的表面齐平；以及位于N型轻掺杂区表面的导电材料层，导电材料层包括阳极区域、阴极区域和熔丝区域，熔丝区域位于阳极区域和阴极区域之间，阴极区域下方的N型轻掺杂区内形成有P型重掺杂区。本发明的P型衬底、N型轻掺杂区、导电材料层和P型重掺杂区可以通过形成CMOS器件的逻辑工艺中的掩膜形成，所以在28nm半导体工艺之后，仍然兼容了逻辑工艺制程。
主权项：1.一种熔丝器件，其特征在于，包括：P型衬底；位于所述P型衬底内的N型轻掺杂区，所述N型轻掺杂区的表面与所述P型衬底的表面齐平；以及位于所述N型轻掺杂区表面的导电材料层，所述导电材料层包括阳极区域、阴极区域和熔丝区域，所述熔丝区域位于所述阳极区域和阴极区域之间，所述阴极区域下方的N型轻掺杂区内形成有P型重掺杂区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 熔丝器件及形成方法
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