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申请/专利权人：松下知识产权经营株式会社
摘要：本公开的光电转换元件具备光电转换层、将光电转换层中产生的空穴作为信号电荷捕集的第1电极、和捕集光电转换层中产生的电子的第2电极。光电转换层包含互相层叠的3层以上的量子点层，3层以上的量子点层各自包含量子点、及修饰量子点的表面的表面修饰配位基。在3层以上的量子点层中的相邻的2个量子点层的组合中的至少1个组合中，接近第1电极的量子点层的带隙能量小于接近第2电极的量子点层的带隙能量。在3层以上的量子点层各自与和3层以上的量子点层各自相邻的量子点层之间的界面中，满足下述式1及下述式2中的至少一者，Ei+1CBM‑EiCBM≥01Ei+1VBM‑EiVBM≥02。
主权项：1.一种光电转换元件，其具备：光电转换层；第1电极，其将所述光电转换层中产生的空穴作为信号电荷捕集；和第2电极，其夹持所述光电转换层与所述第1电极对置，捕集所述光电转换层中产生的电子，所述光电转换层包含互相层叠的3层以上的量子点层，所述3层以上的量子点层各自包含量子点及修饰所述量子点的表面的表面修饰配位基，在所述3层以上的量子点层中的相邻的2个量子点层的组合中的至少1个组合中，接近所述第1电极的量子点层的带隙能量小于接近所述第2电极的量子点层的带隙能量，所述3层以上的量子点层各自与和所述3层以上的量子点层各自相邻的量子点层之间的界面中的能量的关系满足下述式1及下述式2中的至少一者，Ei+1CBM-EiCBM≥01Ei+1VBM-EiVBM≥02其中，EiCBM为所述3层以上的量子点层中从所述第1电极开始数第i个量子点层的导带下端的能量，Ei+1CBM为所述3层以上的量子点层中从所述第1电极开始数第i+1个量子点层的导带下端的能量，EiVBM为所述3层以上的量子点层中从所述第1电极开始数第i个量子点层的价电子带上端的能量，Ei+1VBM为所述3层以上的量子点层中从所述第1电极开始数第i+1个量子点层的价电子带上端的能量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 松下知识产权经营株式会社 光电转换元件及摄像装置
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