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申请/专利权人：成都辰显光电有限公司
申请日：2023-02-28
公开（公告）日：2024-08-30
公开（公告）号：CN118571843A
专利技术分类：.....衬底不是半导体的，例如绝缘体[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种阵列基板制备方法及阵列基板，阵列基板制备方法包括以下步骤：在基板上形成第一金属层；在第一金属层背离基板一侧形成第一平坦化层，至少部分第一平坦化层覆盖第一金属层的边缘；在第一金属层及第一平坦化层背离基板一侧形成第二金属层；对第二金属层进行刻蚀，以使刻蚀后的第二金属层在基板上的正投影和第一平坦化层在基板上的正投影不重合；去除第一平坦化层。通过使第一平坦化层至少部分覆盖第一金属层的边缘，利用第一平坦化层对于第一金属层的边缘进行包覆遮挡，以防止后续形成的第二金属层在第一金属层的边缘处产生断裂，提高了所制成的阵列基板的良品率。
专利权项：1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上形成第一金属层；在所述第一金属层背离所述基板一侧形成第一平坦化层，至少部分所述第一平坦化层覆盖所述第一金属层的边缘；在所述第一金属层及所述第一平坦化层背离所述基板一侧形成第二金属层；对所述第二金属层进行刻蚀，以使刻蚀后的所述第二金属层在所述基板上的正投影和所述第一平坦化层在所述基板上的正投影不重合；去除所述第一平坦化层。
百度查询： 成都辰显光电有限公司 阵列基板制备方法及阵列基板
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