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申请/专利权人：天津大学
摘要：本发明属于无机半导体纳米材料制备领域，涉及一种各向异性二硫化钼纳米带阵列的制备方法。本发明提供了一种更为高效、简单、低成本的大面积单层二硫化钼纳米带阵列的制备方法。本发明制备方法简单，直接获得晶圆级的纳米带阵列；本发明避免了复杂的图案化光刻过程对晶体的质量造成破坏或引入有机物污染；本发明使用成熟的CVD工艺易于大规模生产，具有商业化应用的潜力。
主权项：1.一种各向异性二硫化钼纳米带阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：对单面抛光的A面蓝宝石衬底进行高温退火和清洗；S2：称取硫粉置于石英舟中作为反应的硫源，高温下通氧气氧化高纯钼箔作为反应的钼源；S3：将步骤S1和S2中的硫粉、钼箔以及蓝宝石衬底置于三温区管式炉内，安装法兰封闭管式炉；S4：打开真空泵抽真空，当管内真空度高于2Pa时打开背景气流流量大小为80sccm；S5：温区Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ同时升温至指定温度；S6：将硫粉、钼箔推入管式炉内升温，待硫粉和钼箔升到指定温度，在硫粉所在石英管中通高纯氩气作为反应源的载气，钼箔所在石英管中通高纯氩气和氧气的混合气体，其中氧气用于氧化钼箔为生长提供稳定的钼源，氩气作为反应源的载气；S7：反应结束时推出硫粉和钼箔并关闭两个反应源所在石英管中的载气；S8：反应结束后关闭管式炉三温区的升温程序，自然冷却至室温后关闭背景载气和真空泵。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津大学 一种各向异性二硫化钼纳米带阵列的制备方法
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