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申请/专利权人:河北工业大学
摘要:本发明为一种低去除速率铜布线钼阻挡层化学机械抛光液及其制备方法。该抛光液包括下述组分:氧化剂浓度为2.9~3.1mM,抑制剂总浓度为59.7~90.3mM,纳米级二氧化硅固体浓度为0.6~1.8wt.%,额外添加剂浓度为9.9~20.1mM,pH调节剂,pH为3.9~4.1,余量为水;所述氧化剂为碘酸钾KIO3;所述抑制剂为2,2'‑{[甲基‑1H‑苯并三唑‑1‑基甲基]亚氨基}双乙醇TT‑LYK、L‑组氨酸L‑Histidine和醋酸铈CeAc3。本发明是低技术节点下铜互连钼阻挡层酸性抛光液,抛光液具有静态腐蚀速率低电偶腐蚀差小低于20mV,且可以在低去除速率的条件下,实现钼、铜和TEOS去除速率可调控的特点。
主权项:1.一种低去除速率铜布线钼阻挡层化学机械抛光液,其特征为该抛光液包括下述组分:氧化剂浓度为2.9~3.1mM,抑制剂总浓度为59.7~90.3mM,纳米级二氧化硅固体浓度为0.59~1.81wt.%,额外添加剂浓度为9.9~20.1mM,pH调节剂,pH为3.9~4.1,余量为水;所述氧化剂为碘酸钾KIO3;所述抑制剂为2,2'-{[甲基-1H-苯并三唑-1-基甲基]亚氨基}双乙醇TT-LYK浓度为39.9~40.1mM、L-组氨酸L-Histidine浓度为9.9~10.1mM和醋酸铈CeAc3浓度为9.9~40.1mM,抑制剂总浓度为以三种物质浓度之和59.7~90.3mM;所述二氧化硅固体粒径为64~65nm;所述额外添加剂为柠檬酸钾C6H5K3O7。
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