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申请/专利权人：一道新能源科技股份有限公司
摘要：本申请公开了一种太阳能电池制备方法，包括：将硅片送入PECVD设备的腔室中；通入硅烷和氨气，控制硅烷与氨气的流量比，在硅片的表面沉积至少三层氮化硅层，至少三层氮化硅层的折射率沿硅片的表面向远离硅片的方向递减；通入硅烷、氨气和笑气，控制硅烷、氨气以及笑气的流量比，在氮化硅层表面沉积至少两层氮氧化硅层，至少两层氮氧化硅层的折射率沿氮化硅层的表面向远离硅片的方向递减，且氮氧化硅层的折射率小于氮化硅层的折射率；通入硅烷和笑气，在氮氧化硅层表面沉积氧化硅层。采用本申请的太阳能电池制备方法，可以在硅片表面沉积致密性和折射率不同的减反膜层或钝化膜层，能够提高所制备的太阳能电池的开路电压和转换效率。
主权项：1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：将硅片送入PECVD设备的腔室中；通入硅烷和氨气，控制硅烷与氨气的流量比，在所述硅片的表面沉积至少三层氮化硅层，所述至少三层氮化硅层的折射率沿所述硅片的表面向远离所述硅片的方向递减；通入硅烷、氨气和笑气，控制硅烷、氨气以及笑气的流量比，在所述氮化硅层表面沉积至少两层氮氧化硅层，所述至少两层氮氧化硅层的折射率沿所述氮化硅层的表面向远离所述硅片的方向递减，且所述氮氧化硅层的折射率小于所述氮化硅层的折射率；通入硅烷和笑气，在所述氮氧化硅层表面沉积氧化硅层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 一道新能源科技股份有限公司 太阳能电池制备方法
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