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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
摘要：本申请公开了一种晶圆吸附的检测方法及晶圆的前处理方法，涉及半导体领域。一种晶圆吸附的检测方法包括：向用于承载并吸附晶圆的静电卡盘加载吸附电压至初始设定值；向所述晶圆与所述静电卡盘之间通入氦气；进行氦气漏率检测，当所述氦气漏率超过预设漏率时，增加所述吸附电压，以增大所述静电卡盘的吸附力，使所述晶圆正常吸附于所述静电卡盘。一种晶圆的前处理方法，包括上述晶圆吸附的检测方法。本申请能够解决静电卡盘对晶圆吸附不佳导致的工艺效率低、增加废品率等问题。
主权项：1.一种晶圆吸附的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：向用于承载并吸附晶圆的静电卡盘加载吸附电压至初始设定值；向所述晶圆与所述静电卡盘之间通入氦气；进行氦气漏率检测，当所述氦气漏率超过预设漏率时，增加所述吸附电压，以增大所述静电卡盘的吸附力，使所述晶圆正常吸附于所述静电卡盘。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆吸附的检测方法及晶圆的前处理方法
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