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申请/专利权人：山西中来光能电池科技有限公司

摘要：本发明提供了一种基于激光诱导的双面隧穿氧化钝化电池制备方法及电池，包括硅片衬底、正背面的氮化硅层、正背面的金属电极，硅片衬底的正面由内至外依次设置有正面隧穿氧化层和p+poly层，p+poly层表面形成有间隔阵列的LIO刻蚀凹槽；硅片衬底的背面由内至外依次设置有背面隧穿氧化层和n+poly层。本发明基于不会产生绕镀的PVD技术，再利用激光诱导氧化LIO使局域poly‑Si氧化为SiOSiO2，再利用低温碱液将非激光区域poly腐蚀移除，再满足poly钝化的前提下，减少poly覆盖区域，减少寄生光吸收，可以将TOPCon钝化结构简单利用在电池正面，显著提高钝化效果，提高电池效率。

主权项：1.一种基于激光诱导的双面隧穿氧化钝化电池的制备方法，包括依次进行的如下步骤：1选择硅片以及制绒处理；2利用PVD技术在硅片的正面制备TOPCon结构，即在PO腔中制备隧穿氧化层，再在Paid腔中利用Ar+轰击硅靶材，制备本征非晶硅i-a-Si，并通入乙硼烷气体，掺杂硼元素，制备p型掺杂非晶硅p-a-Si；3利用紫外皮秒激光器对硅片正面的栅线区域进行激光诱导氧化，使预设栅线区域的p-a-Si变为SiOSiO2，作为后续掩膜；4对硅片的正面进行碱刻蚀，蚀刻硅片正面非激光氧化区域的非晶硅层，碱刻蚀后再利用双氧水与弱碱溶液对硅片进行清洗，去除有机添加剂影响；5在退火炉中对硅片进行高温退火，使p型掺杂非晶硅p-a-Si变为p型掺杂多晶硅p+poly，退火结束后通入氧气，对硅片表面进行氧化；6对硅片进行单面酸洗，去除其背面及侧面的氧化硅层；7对硅片的背面进行碱抛光；8利用PVD技术在硅片的背面制备TOPCon结构，即在PO腔中制备隧穿氧化层，再在Paid腔中利用Ar+轰击硅靶材，制备本征非晶硅i-a-Si，并通入PH3气体，掺杂磷元素，制备n型掺杂非晶硅n-a-Si；9在退火炉中对硅片进行高温退火，使n型掺杂非晶硅n-a-Si变为n型掺杂多晶硅n+poly；10BOE清洗，在槽式清洗设备中对硅片进行清洗，首先使用双氧水溶液，清洗表面有机杂质，最后利用HFHCl溶液清洗硅片，去除其正背面的氧化物；11利用PECVD技术在硅片的正背面均制备氮化硅减反射膜；12采用丝网印刷工艺在硅片的正背面均涂敷金属浆料，烧结后制备金属电极。

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