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申请/专利权人：IMEC非营利协会
摘要：本公开提供了一种用于MRAM器件的堆叠体，其中该堆叠体包括具有高隧穿磁阻比TMR的磁性隧道结MTJ。该堆叠体包括基板层、布置在基板层上的第一电极层和布置在第一电极层上的晶种金属层，每一层具有[001]或[010]或[100]平面内纹理。该堆叠体还包括布置在晶种金属层上的磁性自由层、布置在自由层上的晶体化隧道势垒层、布置在晶体化隧道势垒上的磁性参考层、布置在参考层上的钉扎层、以及布置在钉扎层上的第二电极层。
主权项：1.一种用于磁阻随机存取存储器MRAM器件的堆叠体10，所述堆叠体10包括：具有[001]或[010]或[100]平面内纹理的基板层11；布置在所述基板层11上的第一电极层12，所述第一电极层12具有[001]或[010]或[100]平面内纹理；布置在所述第一电极层12上的晶种金属层13，所述晶种金属层13具有[001]或[010]或[100]平面内纹理；布置在所述晶种金属层13上的磁性自由层14；布置在所述自由层14上的晶体化隧道势垒层15；布置在所述晶体化隧道势垒层15上的磁性参考层16；布置在所述参考层16上的钉扎层17；以及布置在所述钉扎层17上的第二电极层18。
全文数据：
权利要求：
百度查询： IMEC非营利协会 磁性随机存取存储器器件的具有高隧穿磁阻比的堆叠体
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