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申请/专利权人：意法半导体国际公司
摘要：本公开涉及存储器单元和用于管理存储器单元的逻辑状态的方法。存储器单元由具有三个接触的PIN二极管形成。施加击穿电压以击穿设置在PIN二极管的区域和衬底区域之间的栅极氧化物。通过在二极管的阳极和阴极之间施加读取电压并确定在二极管中流动的相应电流的值来确定栅极氧化物的击穿或非击穿状态。
主权项：1.一种集成存储器装置，包括：一次性可编程存储器单元，包括具有下表面和与所述下表面相对的上表面的第一半导体条，位于所述下表面的第一区与半导体区域之间的第一电隔离区域，以及位于所述下表面的第二区与所述半导体区域之间的比所述第一电隔离区域厚的第二电隔离区域；其中所述一次性可编程存储器单元在存在未被电击穿的第一电隔离区域的情况下具有第一逻辑状态，并且在存在被电击穿的第一电隔离区域的情况下具有第二逻辑状态；第一电路，被配置为在所述半导体区域与所述第一半导体条之间施加击穿电位差，以击穿所述第一电隔离区域；以及第二电路，被配置为在所述硅条的所述上表面的两个位置之间施加读取电压并且确定在所述两个位置之间流动的电流的值，以便确定所述一次性可编程存储器单元的逻辑状态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体国际公司 存储器单元和用于管理存储器单元的逻辑状态的方法
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