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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种三维非易失性存储器装置包括：多个绝缘层，其在衬底上在基本上垂直于衬底的表面的竖直方向上堆叠；多个沟道层，其位于多个绝缘层之间，并且在平行于衬底的表面的第一水平方向上延伸，其中，多个沟道层包括第一金属元素；扩散停止层，其共形地形成在沿竖直方向穿过多个绝缘层和多个沟道层的沟槽中；以及晶体半导体图案，其位于多个沟道层中的每一个与扩散停止层之间，其中，晶体半导体图案包括第二金属元素，其中，晶体半导体图案中的第二金属元素的浓度高于多个沟道层中的第一金属元素的浓度。
主权项：1.一种三维非易失性存储器装置，包括：多个绝缘层，其在衬底上在垂直于所述衬底的主表面的竖直方向上堆叠；多个沟道层，其位于所述多个绝缘层之间，并且在与所述衬底的所述主表面平行的第一水平方向上延伸，其中，所述多个沟道层包括第一金属元素；扩散停止层，其共形地形成在沿所述竖直方向穿过所述多个绝缘层和所述多个沟道层的沟槽中；以及晶体半导体图案，其位于所述多个沟道层中的每一个与所述扩散停止层之间，其中，所述晶体半导体图案包括第二金属元素，其中，所述晶体半导体图案中的所述第二金属元素的浓度高于所述多个沟道层中的所述第一金属元素的浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 包括多个存储器单元的三维非易失性存储器装置
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