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申请/专利权人：浙江赛晶电子有限公司

摘要：本发明公开了一种采用负性光刻胶的二极管GPP芯片套刻多重光刻方法，属于半导体芯片制造领域。该方法包括：S1、使用负性光刻胶对二极管芯片的待套刻表面进行匀胶，且匀胶厚度需支持多重光刻；S2、在匀胶后的二极管芯片基础上，将套刻版进行对版后通过多重光刻的方式进行套刻，所述套刻版中矩形的不透光掩膜窗口尺寸大于矩形的目标金属化台面尺寸；S3、对完成套刻后的二极管芯片进行显定影，去除未曝光负性光刻胶层，用于在后续工艺中通过湿法腐蚀在二极管芯片表面获得符合目标金属化台面尺寸的窗口。该方法可用于在二极管GPP芯片生产中对完成玻璃钝化后的二极管芯片待套刻表面进行套刻，获能够灵活调整套刻的金属化台面尺寸大小。

主权项：1.一种采用负性光刻胶的二极管GPP芯片套刻多重光刻方法，其特征在于，用于在二极管GPP芯片生产中对完成玻璃钝化后的二极管芯片待套刻表面进行套刻，获得套刻窗口，该方法包括：S1、使用负性光刻胶对二极管芯片的待套刻表面进行匀胶，且匀胶厚度需支持多重光刻；S2、在匀胶后的二极管芯片基础上，将套刻版进行对版后通过多重光刻的方式进行套刻，所述套刻版中矩形的不透光掩膜窗口尺寸大于矩形的目标金属化台面尺寸；其中所述多重光刻时，以目标金属化台面的中心点为基准点，选择目标金属化台面中经过基准点的一条矩形对角线，首先将所述套刻版从基准点朝向所述矩形对角线的一个方向偏移至第一定位点，再执行第一重光刻，然后将所述套刻版从基准点朝向所述矩形对角线的另一个方向偏移至第二定位点，再执行第二重光刻，在光刻胶层上获得与目标金属化台面尺寸相同的未曝光单元尺寸；所述第一定位点和第二定位点各自与所述基准点的X方向偏移量绝对值均为所述掩膜窗口与目标金属化台面尺寸的X方向尺寸差的一半，第一定位点和第二定位点各自与所述基准点的Y方向偏移量绝对值均为所述掩膜窗口与目标金属化台面尺寸的Y方向尺寸差的一半；所述套刻版中沿X方向的相邻不透光掩膜窗口之间的透光区域宽度不低于所述X方向偏移量绝对值，所述套刻版中沿Y方向的相邻不透光掩膜窗口之间的透光区域宽度不低于所述Y方向偏移量绝对值；S3、对完成套刻后的二极管芯片进行显定影，去除未曝光负性光刻胶层，用于在后续工艺中通过湿法腐蚀在二极管芯片表面获得符合目标金属化台面尺寸的窗口。

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