龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供了一种射频开关的仿真模型，包括：MOS管、第一电容、第二电容和体区电阻；MOS管的源端接第一电容的第一端，第一电容的第二端接第二电容的第一端，第二电容的第二端接MOS管的漏端，MOS管的衬底电极端接体区电阻的第一端，体区电阻的第二端用于接体区接触孔，其中，第一电容为BOX层和源端之间产生的电容，第二电容为BOX层和漏端之间产生的电容。本发明将体区的电阻、BOX层与源端的电阻以及BOX层与漏端的电阻考虑到仿真模型中，所以提高了漏端的IV电流，栅极到源端和栅极到漏端的电容之和，开态时的电阻，关态时的电容以及输出信号谐波的仿真速度。
主权项：1.一种射频开关的仿真模型，射频开关包括：衬底；埋氧层，所述埋氧层位于所述衬底上；顶层硅，所述顶层硅位于所述埋氧层上；栅极，所述栅极位于所述顶层硅上；体区，所述体区位于所述顶层硅内；源端和漏端，所述源端和漏端均位于所述顶层硅内，所述源端和漏端分别位于所述体区的两侧，所述体区上形成有体区接触孔，其特征在于，包括：MOS管、第一电容、第二电容和体区电阻；所述MOS管的源端接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端接所述第二电容的第一端，所述第二电容的第二端接所述MOS管的漏端，所述MOS管的衬底电极端接所述体区电阻的第一端，所述体区电阻的第二端用于接所述体区接触孔，其中，所述第一电容为BOX层和源端之间产生的电容，所述第二电容为BOX层和漏端之间产生的电容。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 射频开关
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号