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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、V型坑层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述V型坑层包括周期性交替层叠的第一InGaN层、第一生长停顿层、第二InGaN层、第二生长停顿层和GaN帽层，所述第一InGaN层的In组分占比大于所述第二InGaN层的In组分占比。本发明可以提高发光二极管的亮度和抗静电能力。
主权项：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、V型坑层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述V型坑层包括周期性交替层叠的第一InGaN层、第一生长停顿层、第二InGaN层、第二生长停顿层和GaN帽层，所述第一InGaN层的In组分占比大于所述第二InGaN层的In组分占比。
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权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
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