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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

摘要：本发明提供一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，其中倒装发光二极管芯片包括：衬底以及依次沉积在所述衬底上的N型半导体层、有源发光层、P型半导体层、电流扩展层、第一绝缘层、布拉格反射层、金属反射层、第二绝缘层、连接金属层、第三绝缘层以及焊盘层；所述连接金属层包括自下而上依次设置的反射层以及保护层，所述保护层包括自下而上依次设置的第一保护母层、第二保护母层以及第三保护母层，其中所述第二保护母层包括n个周期性层叠设置的第一保护子层以及第二保护子层；所述第一保护子层的厚度线性朝向所述第三绝缘层逐渐增大，所述第二保护子层的厚度线性朝向所述第三绝缘层逐渐减小。

主权项：1.一种倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1、提供一衬底，在所述衬底上依次沉积N型半导体层、有源发光层以及P型半导体层；S2、在所述P型半导体层上制备N型半导体导电台阶；S3、在所述P型半导体层以及所述N型半导体导电台阶上制备电流扩展层；S4、在所述电流扩展层上制备第一绝缘层；S5、在所述第一绝缘层上制备布拉格反射层以及布拉格反射层通孔；S6、在所述布拉格反射层、所述布拉格反射层通孔以及所述第一绝缘层上制备第一绝缘层通孔；S7、在所述布拉格反射层、所述布拉格反射层通孔以及所述第一绝缘层通孔上制备金属反射层；S8、在所述金属反射层以及未被所述金属反射层覆盖的区域制备第二绝缘层以及第二绝缘层通孔；S9、在所述第二绝缘层以及所述第二绝缘层通孔上制备连接金属层；S10、在所述连接金属层以及未被所述连接金属层覆盖的第二绝缘层上利用PECVD工艺沉积SiO2作为第三绝缘层，接着在所述第三绝缘层涂布光刻胶，然后曝光、显影去除掉部分光刻胶，暴露出部分第三绝缘层，然后利用BOE腐蚀液去除掉暴露出的部分第三绝缘层，形成第三绝缘层通孔；S11、在所述第三绝缘层通孔上制备焊盘层；其中，所述连接金属层包括自下而上依次设置的反射层以及保护层，所述保护层包括自下而上依次设置的第一保护母层、第二保护母层以及第三保护母层，其中所述第二保护母层包括n个周期性层叠设置的第一保护子层以及第二保护子层；所述第一保护子层的厚度线性朝向所述第三绝缘层逐渐增大，所述第二保护子层的厚度线性朝向所述第三绝缘层逐渐减小。

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