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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种Micro‑LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。其中，Micro‑LED芯片的制备方法包括以下步骤：S1、提供外延片，所述外延片包括第一衬底和设于所述衬底上的蓝光外延层、绿光外延层和红光外延层；S2、刻蚀所述外延片，形成多个隔离沟槽和多个导电通孔；所述隔离沟槽将所述外延片划分为蓝光发光区、绿光发光区和红光发光区；所述导电通孔位于所述蓝光发光区、绿光发光区和或红光发光区，导电通孔用于使多个N电极和或P电极与蓝光外延层、绿光外外延层或红光外延层完成导电连接；S3：在步骤S2得到的外延片上形成绝缘反射层，并将导电通孔底部的绝缘反射层去除；S4：在步骤S3得到的外延片上形成P电极和N电极。实施本发明，可简化Micro‑LED的转移工序，提升其良率。
主权项：1.一种Micro-LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供外延片，所述外延片包括第一衬底和设于所述衬底上的蓝光外延层、绿光外延层和红光外延层；S2、刻蚀所述外延片，形成多个隔离沟槽和多个导电通孔；所述隔离沟槽将所述外延片划分为蓝光发光区、绿光发光区和红光发光区；所述导电通孔位于所述蓝光发光区、绿光发光区和或红光发光区，导电通孔用于使多个N电极和或P电极与蓝光外延层、绿光外延层或红光外延层完成导电连接；S3：在步骤S2得到的外延片上形成绝缘反射层，并将导电通孔底部的绝缘反射层去除；S4：在步骤S3得到的外延片上形成P电极和N电极。
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百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 Micro-LED芯片及其制备方法
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