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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供一种筛选栅介质层可靠性的良率测试方法，提供晶圆，在晶圆上形成有多个die，每个die具有对应的芯片分组编号，每个die上至少形成有一个PUMP电路，每个PUMP电路中具有至少一个电容结构，电容结构包括依次形成于衬底上的栅介质层和栅极层；选择待测试的PUMP电路，设置其高压模拟量和测试模式；对各待测试的PUMP电路施加电压值至对应高压模拟量的最大值，并持续预设时间；获取待测试PUMP电路的测试结果，判断测试结果是否超过卡控规格；若是，则标记其具有可靠性风险并输出对应的芯片分组编号。本发明能够筛选出栅介质层侧掏变薄导致的风险die，解决了经正常CP测试无法完全筛除风险die的问题。
主权项：1.一种筛选栅介质层可靠性的良率测试方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供晶圆，在所述晶圆上形成有多个die，每个die具有对应的芯片分组编号，每个所述die上至少形成有一个PUMP电路，每个所述PUMP电路中具有至少一个电容结构，所述电容结构包括依次形成于所述衬底上的所述栅介质层和栅极层；步骤二、选择待测试的所述PUMP电路，设置其高压模拟量和测试模式；步骤三、对各待测试的所述PUMP电路施加电压值至对应所述高压模拟量的最大值，并持续预设时间；步骤四、获取待测试所述PUMP电路的测试结果，判断所述测试结果是否超过卡控规格；若是，则标记其具有可靠性风险并输出对应的所述芯片分组编号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 筛选栅介质层可靠性的良率测试方法
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