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申请/专利权人：嘉兴驭光光电科技有限公司
摘要：本申请公开了一种微纳光学器件制造方法，该方法包括：利用半导体光刻和刻蚀工艺在晶圆上形成第一微纳结构；在晶圆上涂敷光刻胶；将第一区域中的光刻胶完全移除，以露出至少部分第一微纳结构，并对第二区域中的光刻胶进行灰度曝光，以在第二区域的光刻胶上形成第二微纳结构；以及将第一和第二微纳结构转印到待加工材料的表面上。根据本发明实施例，通过在已经经过半导体光刻刻蚀工艺处理的晶圆上涂覆灰度曝光用的光刻胶并选择性地进行部分区域的完全除胶和部分区域的灰度曝光，在一个统一的制作流程中融合了两种不同的微纳结构制作工艺；相应地，可以实现不同的微纳结构的构造制作。
主权项：1.一种微纳光学器件的制造方法，所述微纳光学器件具有第一微纳结构和第二微纳结构，所述制造方法包括：利用半导体光刻和刻蚀工艺在晶圆的至少部分表面上形成所述第一微纳结构；在所述晶圆上涂敷光刻胶，所述光刻胶覆盖在形成有所述第一微纳结构的所述晶圆的整个表面上；对所述光刻胶进行光刻，其中将第一区域中的所述光刻胶完全移除，以露出至少部分所述第一微纳结构，并对第二区域中的光刻胶进行灰度曝光，以在所述第二区域的所述光刻胶上形成所述第二微纳结构；以及将所述第一微纳结构和第二微纳结构转印到待加工材料的表面上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 嘉兴驭光光电科技有限公司 微纳光学器件制造方法
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