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申请/专利权人：杭州赛晶电子有限公司
摘要：本发明公开了一种P型杂质扩散结屏蔽栅硅二极管及其制造方法。该方法首先在N‑型110晶面硅单晶片的正面掩膜胶上划切网格形式的腐蚀槽窗口，用硅各向异性择优腐蚀液对硅片正面的窗口进行化学腐蚀，获得直角凹槽；然后在硅扩散片的正、反面分别扩散入P+型和N+型半导体杂质，得到P+N‑N+型硅扩散片；最后对P+N‑N+型硅扩散片进行喷砂、镀镍、锯切、焊接、台面钝化、压模成型，封装成硅二极管。本发明利用静电屏蔽效应显著改善器件反向击穿电压特性，产品性价比高，产生显著经济效益。
主权项：1.一种P型杂质扩散结屏蔽栅硅二极管的制造方法，其特征在于，包括：S1、在N-型（110）晶面硅单晶片的正、反两表面分别涂覆一层掩膜胶；S2、在S1得到的硅单晶片正面的掩膜胶上，分别沿平行（111）晶向以及垂直（111）晶向两个方向等间距开设腐蚀槽窗口，且腐蚀槽窗口底部贯通至晶片表面，硅单晶片正面的所有腐蚀槽窗口在平面上呈网格状交叉，将整个硅单晶片表面分割成一系列正方形块；S3、利用硅各向异性择优腐蚀液对S2得到的硅单晶片正面进行化学腐蚀，每一条腐蚀槽窗口底部的硅单晶片在硅各向异性择优腐蚀液的腐蚀下形成截面为矩形的直角凹槽；S4、在S3得到的硅单晶片的正面扩散P型半导体杂质硼形成P+型杂质扩散层，反面扩散N型半导体杂质磷形成N+型杂质扩散层，得到硅扩散片；S5、对S4得到的硅扩散片的正面和反面进行表面喷砂和镀镍，然后沿所述直角凹槽对S4得到的硅扩散片进行切割，且切割线沿着直角凹槽的中线对称切割，形成包含一个或多个所述正方形块区域的镀镍硅芯单元，将镀镍硅芯单元进行封装形成硅二极管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州赛晶电子有限公司 一种P型杂质扩散结屏蔽栅硅二极管的制造方法
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