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申请/专利权人：先导薄膜材料(广东)有限公司
摘要：本发明属于材料技术领域，公开了一种高致密性氧化铟铈靶材及其制备方法。所述制备方法为：将氧化铈粉末与第一分散剂和纯水进行预分散，经湿法研磨得到浆料一；向浆料一中加入氧化铟粉末和第二分散剂进行预分散，经湿法研磨得到浆料二；将浆料二进行喷雾造粒、混料和筛分，得到氧化铟铈前驱体；将氧化铟铈前驱体在600～800℃氧气氛围中常压烧结3～6h预处理，然后在真空环境下升温至烧结温度进行加压烧结，得到高致密性氧化铟铈靶材。本发明所得氧化铟铈靶材密度高、成分分布均匀性好，性能优异。
主权项：1.一种高致密性氧化铟铈靶材的制备方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：S1.称取氧化铈粉末、氧化铟粉末备用；S2.将氧化铈粉末、第一分散剂和纯水倒入容器中进行预分散，分散均匀后经湿法研磨得到浆料一；S3.向浆料一中加入氧化铟粉末和第二分散剂进行预分散，分散均匀后经湿法研磨得到浆料二；S4.将浆料二进行喷雾造粒、混料和筛分，得到氧化铟铈前驱体；S5.对氧化铟铈前驱体进行预处理，所述预处理为在600~800℃氧气氛围中常压烧结3~6h；S6.将预处理后的氧化铟铈前驱体装入模具，放入烧结炉中，在真空环境下升温至烧结温度，再进行加压烧结，加压烧结后采用快冷装置以10~20℃min匀速降温至50℃，得到一种高致密性氧化铟铈靶材；S1步骤中所述氧化铈粉末与所述氧化铟粉末的质量比为0.1~2:98~99.9，所述氧化铈粉末的纯度为4N、粒径为120~270nm，所述氧化铟粉末的纯度为4N、粒径为120~270nm；S6步骤中所述升温至烧结温度为采用速热装置以5~15℃min匀速升温至1400~1550℃；所述加压烧结为在35~50MPa下进行保温保压6~10h。
全文数据：
权利要求：
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