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申请/专利权人：广州志橙半导体有限公司

摘要：本发明涉及一种碳化钽涂层石墨部件的制备方法。制备方法包括以下具体步骤：通过热处理除去所述石墨基底表面的杂质；提供Ta源、Ta的氟化物、混合盐和石墨基底，通过低温熔盐气相沉积法在石墨基底上制备预涂层，得到预涂层件；将预涂层件放置CVD炉反应室，抽空后升温至1000‑1800℃，通入0.5‑3molmin的碳源气体，保温0.5~3h，得到渗碳过渡层件；通过低温熔盐气相沉积法在渗碳过渡层件上制备TaC预涂层，得到TaC预涂层件。本发明能够提高涂层与基材的结合力，使得碳化钽涂层和石墨基底形成高强度结合，同时得到致密均匀的碳化钽涂层。

主权项：1.一种碳化钽涂层石墨部件的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：S1、石墨基底的前处理：通过热处理除去所述石墨基底表面的杂质；S2、制备Ta预涂层：提供Ta源、Ta的氟化物、混合盐和石墨基底，通过低温熔盐气相沉积法在石墨基底上制备预涂层，得到预涂层件；S3、制备渗碳过渡层：将S2中的预涂层件放置CVD炉反应室，抽空后升温至1000-1800℃，通入0.5-3molmin的碳源气体，保温0.5~3h，得到渗碳过渡层件；S4、制备TaC预涂层：提供Ta源、Ta的氟化物、混合盐和渗碳过渡层件，通过低温熔盐气相沉积法在渗碳过渡层件上制备TaC预涂层，得到TaC预涂层件；S5、高温烧结：将S4中的TaC预涂层件转至高温烧结炉，在氩气的气氛中进行烧结，得到具有TaC涂层的石墨部件；其中，在S2中，具体包括：S21、将混合盐进行烘干；S22：将S21烘干后的粉体进行研磨，研磨后进行混料处理；S23：将Ta源和Ta的氟化物添加进S22已混合的粉体中，进行进一步混料处理；S24：将S23混合均匀的粉体放置进一个容器中，将所述石墨基底放置于粉体界面以上；S25：将S24的物件放置于烧结炉的反应室中，在氩气的氛围中保持1100-1600℃，持续2-12h，通过低温熔盐气相沉积法制备TaC预涂层，得到预涂层件；在S21中，所述混合盐为氯化钾和氯化钠；在S23中，Ta源为Ta粉、氧化钽和碳化钽粉中的任意一种，Ta的氟化物为氟钽酸钾，所述Ta源和Ta的氟化物的比例为1：（0.1~10），所述Ta源和混合盐的比例为1：（5~30）；在S25中，通过所述氩气的流速为1~10Lmin；在S3中，所述碳源气体包括甲烷、乙烷和丙烷中的任意一种；在S4中，所述Ta源为Ta粉，所述Ta的氟化物为氟钽酸钾，所述混合盐为氯化钾和氯化钠；在S5中制得的所述碳化钽涂层石墨部件由内至外依次包括石墨基底、渗碳过渡层和TaC涂层，其中，所述渗碳过渡层深度为0~800nm，所述TaC涂层的厚度为10-30μm。

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