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申请/专利权人：广东巨风半导体有限公司

摘要：本发明公开了隔离栅极驱动电路及驱动器，该隔离栅极驱动电路包括信号还原模块、调制模块、高通滤波模块及下降沿监测模块，调制模块具有第一端与第二端，其中，第一端输出的第一脉冲信号与第二端输出的第一脉冲信号为轨到轨的差分脉冲信号；下降沿监测模块分别与第一端、第二端及信号还原模块连接。本发明的隔离栅极驱动电路还原脉冲宽度调制信号时，还通过下降沿监测模块对调制模块的第一端与第二端输出的第一脉冲信号进行监测，当调制模块的第一端或第二端输出的第一脉冲信号中的脉冲信号为下降沿状态时，下降沿监测模块输出第三脉冲信号至信号还原模块，以使信号还原模块可快速输出还原脉冲宽度调制信号，提高了隔离栅极驱动电路的可靠性。

主权项：1.一种隔离栅极驱动电路，其特征在于，包括：调制模块，所述调制模块具有第一端与第二端，所述第一端用于输出一路第一脉冲信号，所述第二端用于输出一路第一脉冲信号，其中，所述第一端输出的第一脉冲信号与所述第二端输出的第一脉冲信号为轨到轨的差分脉冲信号；高通滤波模块，分别与所述第一端及所述第二端连接，所述高通滤波模块用于对所述第一端输出的第一脉冲信号及所述第二端输出的第一脉冲信号进行滤波后输出第二脉冲信号；下降沿监测模块，分别与所述第一端及所述第二端连接，所述下降沿监测模块用于在所述第一端输出的第一脉冲信号或所述第二端输出的第一脉冲信号中的脉冲信号为下降沿状态时输出第三脉冲信号；信号还原模块，分别与所述高通滤波模块及下降沿监测模块连接，所述信号还原模块用于根据第二脉冲信号或第三脉冲信号快速输出还原脉冲宽度调制信号；所述信号还原模块包括：第一电流镜、第二电流镜、第一差分对管、第二差分对管、第一施密特触发器、第一反相器以及第二反相器；所述第一电流镜包括第三端、第四端以及第五端，所述第三端接入第一电流，所述第四端与供电电压连接；所述第二电流镜包括第六端、第七端以及第八端，所述第六端接入第二电流，所述第七端接地；所述第一差分对管包括第九端、第十端、第十一端以及第十二端，所述第九端与所述第五端连接，所述第十端与所述第八端连接，所述第十一端与所述高通滤波模块连接，所述第十二端与所述高通滤波模块连接；所述第二差分对管包括第十三端、第十四端、第十五端以及第十六端，所述第十四端接地，所述第十五端与所述下降沿监测模块连接，所述第十六端与所述下降沿监测模块连接；所述第一施密特触发器的输入端连接至所述第五端与所述第九端的连接路上，所述第一施密特触发器的输入端还与所述第十三端连接，所述第一施密特触发器的输出端与所述第一反相器的输入端连接，所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端连接，所述第二反相器的输出端输出还原脉冲宽度调制信号；所述第一电流镜包括：第一MOS管与第二MOS管，所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极共接，所述第一MOS管的源极与所述第一MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的栅极还与所述第二MOS管的栅极连接，其中，所述第一MOS管的源极为所述第三端，所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极的连接端为所述第四端，所述第二MOS管的源极为所述第五端；所述第二电流镜包括：第三MOS管与第四MOS管，所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的源极连接，所述第三MOS管的栅极与所述第四MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的栅极还与所述第三MOS管的源极连接，其中，所述第三MOS管的漏极为所述第六端，所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的源极的连接端为所述第七端，所述第四MOS管的漏极为所述第八端；所述第一差分对管包括：第五MOS管与第六MOS管；所述第五MOS管的漏极与所述第六MOS管的漏极连接，所述第五MOS管的源极与所述第六MOS管的源极连接，所述第五MOS管的漏极与所述第六MOS管的漏极的连接端为所述第九端，所述第五MOS管的源极与所述第六MOS管的源极的连接端为所述第十端，所述第五MOS管的栅极为所述第十一端，所述第六MOS管的栅极为所述第十二端；所述第二差分对管包括：第七MOS管与第八MOS管；所述第七MOS管的漏极与所述第八MOS管的漏极连接，所述第七MOS管的源极与所述第八MOS管的源极连接，所述第七MOS管的漏极与所述第八MOS管的漏极的连接端为所述第十三端，所述第七MOS管的源极与所述第八MOS管的源极的连接端为所述第十四端，所述第七MOS管的栅极为所述第十五端，所述第八MOS管的栅极为所述第十六端。

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