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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2022-06-24
公开（公告）日：2023-08-15
公开（公告）号：CN116598346A
专利技术分类：...不通有待整流、放大或切换电流的[2006.01]
专利摘要：本公开涉及多栅极器件的栅极结构。根据本公开的方法包括提供衬底，该衬底包括围绕在有源区域之上的虚设栅极堆叠和沿着虚设栅极堆叠的侧壁延伸的间隔件层，选择性地去除虚设栅极堆叠以形成暴露有源区域的栅极沟槽，在有源区域之上沉积栅极电介质层，在栅极电介质层之上沉积至少一个功函数层，在至少一个功函数层之上沉积钨层，以及在钨层之上沉积氮化钨层。
专利权项：1.一种用于制造半导体结构的方法，包括：提供衬底，该衬底包括：虚设栅极堆叠，围绕在有源区域之上，以及间隔件层，沿着所述虚设栅极堆叠的侧壁延伸；选择性地去除所述虚设栅极堆叠以形成暴露所述有源区域的栅极沟槽；在所述有源区域之上沉积栅极电介质层；在所述栅极电介质层之上沉积至少一个功函数层；在所述至少一个功函数层之上沉积钨层；以及在所述钨层之上沉积氮化钨层。
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 多栅极器件的栅极结构
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