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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明提供一种成膜装置和成膜方法，能够在以在形成于基板的表面的凹部中埋入氮化硅膜的方式进行成膜时抑制生产率的下降，并且抑制在进行该氮化硅膜的成膜后进行的不必要的蚀刻。所述成膜方法实施以下工序：在旋转台以第一转速进行旋转的期间，对第一区域进行原料气体的供给并且以第一流量对第二区域进行所述氨气的供给，来在凹部内进行第一氮化硅膜的成膜；以及在旋转台以比第一转速低的第二转速旋转的期间，对第一区域供给原料气体并且以比第一流量小的第二流量对第二区域进行的所述氨气的供给，来在凹部内以层叠于第一氮化硅膜的方式进行第二氮化硅膜的成膜。
主权项：1.一种成膜方法，包括以下工序：使旋转台旋转，来使载置于该旋转台的在表面形成有凹部的基板公转；对所述旋转台上的第一区域供给包含硅的原料气体；对所述旋转台上的位于在该旋转台的旋转方向上相对于所述第一区域分离的位置并且气氛被进行了划分的第二区域供给氨气；在所述旋转台以第一转速旋转的期间，对所述第一区域进行所述原料气体的供给并且以第一流量对所述第二区域进行所述氨气的供给，来在所述凹部内进行第一氮化硅膜的成膜；以及在所述凹部被所述第一氮化硅膜封堵前，在所述旋转台以比所述第一转速低的第二转速旋转的期间，对所述第一区域进行所述原料气体的供给并且以比所述第一流量小的第二流量对所述第二区域进行所述氨气的供给，来在所述凹部内以层叠于所述第一氮化硅膜的方式进行第二氮化硅膜的成膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 成膜方法和成膜装置
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