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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供一种场效应晶体管及其制造方法，在场效应晶体管的制造方法中，先去除PFET区域上的衬垫氧化层以及浅沟槽隔离结构中靠近PFET区域的部分，以形成凹槽；然后在凹槽中形成沟道层，沟道层包括锗硅外延层和硅帽层，锗硅外延层位于凹槽底部的PFET区域的表面，硅帽层覆盖锗硅外延层的顶表面和侧壁；接着去除剩余的衬垫氧化层，以暴露出NFET区域；接着形成栅氧化层，栅氧化层覆盖NFET区域、浅沟槽隔离结构和硅帽层。由于栅氧化层与锗硅外延层之间具有硅帽层，能够有效阻挡锗硅外延层中的锗离子扩散到栅氧化层，防止锗氧化物的形成，降低锗硅外延层与栅氧化层之间的界面态密度，进而提高器件的性能。
主权项：1.一种场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底中形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构将所述衬底分为PFET区域和NFET区域；采用热氧化工艺形成衬垫氧化层，所述衬垫氧化层覆盖所述PFET区域和所述NFET区域；去除所述PFET区域上的所述衬垫氧化层以及去除所述浅沟槽隔离结构中靠近所述PFET区域的部分，以形成凹槽；在所述凹槽中形成沟道层，所述沟道层包括锗硅外延层和硅帽层，所述锗硅外延层位于所述凹槽底部的所述PFET区域的表面，所述硅帽层覆盖所述锗硅外延层的顶表面和侧壁；去除剩余的所述衬垫氧化层，以暴露出所述NFET区域；形成栅氧化层，所述栅氧化层覆盖所述NFET区域、所述浅沟槽隔离结构和所述硅帽层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 场效应晶体管及其制造方法
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