龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：重庆大学;重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
摘要：本发明公开一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极接触层1、重掺杂第二导电类型集电极区10、重掺杂第一导电类型集电极区11、轻掺杂第二导电类型集电极区12、第一导电类型缓冲层20、轻掺杂第一导电类型漂移层21、第二导电类型基区30、重掺杂第二导电类型发射区31、重掺杂第一导电类型发射区32、重掺杂第一导电类型栅极区33、栅极绝缘介质层40、发射极接触层2、栅极接触层3；本发明采用较小的背面元胞尺寸抑制RC‑IGBT在正向导通时的折回snap‑back现象，提高可靠性并降低功率损耗，提升RC‑IGBT器件整体性能。
主权项：1.一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括集电极接触层（1）、重掺杂第二导电类型集电极区（10）、重掺杂第一导电类型集电极区（11）、轻掺杂第二导电类型集电极区（12）、第一导电类型缓冲层（20）、轻掺杂第一导电类型漂移层（21）、第二导电类型基区（30）、重掺杂第二导电类型发射区（31）、重掺杂第一导电类型发射区（32）、重掺杂第一导电类型栅极区（33）、栅极绝缘介质层（40）、发射极接触层（2）、栅极接触层（3）；所述重掺杂第一导电类型集电极区（11）覆盖于集电极金属层（1）部分区域之上；所述重掺杂第二导电类型集电极区（10）覆盖于集电极金属层（1）部分区域之上；所述轻掺杂第二导电类型集电极区（12）覆盖于重掺杂第二导电类型集电极区（10）之上；所述重掺杂第一导电类型集电极区（11）由多个重复单元构成；所述重掺杂第二导电类型集电极区（10）和轻掺杂第二导电类型集电极区（12）位于所述重掺杂第一导电类型集电极区（11）两个重复单元之间；所述第一导电类型缓冲层（20）部分位于重掺杂第一导电类型集电极区（11）之上，并浮于轻掺杂第一导电类型漂移层（21）之中；第一导电类型缓冲层（20）与重掺杂第一导电类型集电极区（11）的上表面接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆大学 重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司 一种逆导型绝缘栅双极型晶体管
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号