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申请/专利权人:中国工程物理研究院核物理与化学研究所
摘要:本发明提供了一种用于自旋回波小角中子散射谱仪的高精度磁场翻转装置,包括中子入射向骨架、中子出射向骨架、中子入射向线圈、中子出射向线圈、绕线柱、磁屏蔽罩。中子入射向骨架包括两个相对设置的Y型面、入射开口面以及入射电流屏开口面,所述Y型面、入射开口面、入射电流屏开口面上绕制有呈Y字形的中子中子入射向线圈,中子出射向骨架和中子出射向线圈与中子入射向骨架、中子入射向线圈相同,为背靠背紧贴并翻转90°设置,实现磁场90°翻转。骨架和线圈外设置有磁屏蔽罩。该装置不仅提高了磁场均匀度,还提高了前后磁场的水平度与垂直度,满足中子极化方向的翻转要求,有效地提高谱仪的探测精度和探测效率。
主权项:1.用于自旋回波小角中子散射谱仪的高精度磁场翻转装置,其特征在于,所述磁场翻转装置包括中子入射向骨架1、中子出射向骨架2、中子入射向线圈3、中子出射向线圈4、绕线柱5、磁屏蔽罩6;所述中子入射向骨架1包括两个相对设置的Y型面11、入射开口面12以及入射电流屏开口面13,所述Y型面11上设置有Y字形缺口,所述每个Y型面11上靠近Y字形缺口处设置有单列绕线柱5用于固定绕线的走线位置;所述入射开口面12和入射电流屏开口面13相对设置,所述入射开口面12上中心位置开设有与Y字形缺口尺寸相同的入射开口121,入射电流屏开口面13上开设有入射电流屏开口131,所述入射开口121、入射电流屏开口131用于通过入射中子,其开口尺寸均不小于中子束斑尺寸;所述中子入射向线圈3绕制在两Y型面11、入射开口面12以及入射电流屏开口面13上;其中在入射电流屏开口面13上以及Y型面11上从绕线柱5至入射电流屏开口面13的区域为单层紧密排线,在Y型面11上从绕线柱5至入射开口面12的区域为单层紧密排线向两侧边缘多层紧密排线过渡,使线圈在Y型面上成Y型绕线,在入射开口面12上为多层紧密排线;所述中子入射向骨架1未排布线圈的两个面均设置有入射骨架开口14,所述中子入射向骨架1及中子入射向线圈3组成中子入射单元;所述中子出射向骨架2与入射向骨架1外形尺寸完全相同,所述中子出射向骨架2上相同位置也设置有绕线柱5,所述中子出射向线圈4与中子入射向线圈3尺寸以及绕制参数完全相同;所述中子出射向骨架2与中子出射向线圈4组成中子出射单元;所述中子入射单元与中子出射单元背靠背设置,使入射电流屏开口面13上的电流屏和出射电流屏开口面23上的电流屏紧贴并翻转90°放置,实现中子入射向线圈3产生的磁场方向与中子出射向线圈4产生的磁场方向90°翻转;所述磁屏蔽罩6包裹除入射开口面12和出射开口面22外的中子入射单元和中子出射单元外表面。
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