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申请/专利权人：上海帝迪集成电路设计有限公司

摘要：本发明公开了一种高侧PMOS驱动级浮动地产生电路及其方法，电阻R1的一端连接电源Vc，电阻R1的另一端与电流源Ibias1的一端和运算放大器OPA的同向输入端连接，电流源Ibias1的另一端接地，运算放大器OPA的反向输入端与分压电路的分压端连接，运算放大器OPA的输出端与电流镜电路的输入端连接，电流镜电路的输出端与输出功率管LDMOS的栅极连接，分压电路的输入端连接电源Vc，分压电路的输出端与输出功率管LDMOS的漏极连接并产生浮动地信号Fltgnd，输出功率管LDMOS的源极接地。本发明通过引入一个可在高压域工作的电流镜环路，实现了在无输出大电容条件下的NMOS管输出，在实现电路稳定性的同时，最大限度增大浮动地Fltgnd的摆幅，增强电路的动态响应。

主权项：1.一种高侧PMOS驱动级浮动地产生电路，其特征在于：包含电阻R1、电流源Ibias1、运算放大器OPA、电流镜电路、分压电路、输出功率管LDMOS，电阻R1的一端连接电源Vc，电阻R1的另一端与电流源Ibias1的一端和运算放大器OPA的同向输入端连接，电流源Ibias1的另一端接地，运算放大器OPA的反向输入端与分压电路的分压端连接，运算放大器OPA的输出端与电流镜电路的输入端连接，电流镜电路的输出端与输出功率管LDMOS的栅极连接，分压电路的输入端连接电源Vc，分压电路的输出端与输出功率管LDMOS的漏极连接并产生浮动地信号Fltgnd，输出功率管LDMOS的源极接地；所述电流镜电路包含NMOS管NM1、NMOS管NM2、NMOS管NM3、NMOS管NM4、PMOS管PM1、PMOS管PM2和电流源Ibias2，NMOS管NM1的栅极作为电流镜电路的输入端并与运算放大器OPA的输出端连接，NMOS管NM1的源极与浮动地信号Fltgnd连接，NMOS管NM1的漏极与PMOS管PM1的漏极、PMOS管PM1的栅极和PMOS管PM2的栅极连接，PMOS管PM1的源极、PMOS管PM2的源极和电流源Ibias2的一端连接电源Vc，PMOS管PM2的漏极与NMOS管NM4的漏极连接，NMOS管NM4的栅极连接控制信号EN，NMOS管NM4的源极与NMOS管NM2的漏极、NMOS管NM2的栅极和NMOS管NM3的栅极连接，NMOS管NM2的源极和NMOS管NM3的源极接地，NMOS管NM3的漏极与电流源Ibias2的另一端连接并作为电流镜电路的输出端与输出功率管LDMOS的栅极连接；所述电流镜电路还包含电容C1，电容C1的一端与NMOS管NM1的漏极连接，电容C1的另一端与NMOS管NM1的栅极连接。

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