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申请/专利权人：山东浪潮科学研究院有限公司

摘要：本发明公开一种基于RISC架构芯片的多电源域自适应调压方法及系统，涉及芯片设计技术领域，针对RISC架构的芯片中能自适应调节电压和频率的设计方案比较匮乏的问题，采用方案包括：采集RISC‑V架构芯片的当前运行电压、频率和温度；保存获取数据，分析芯片当前受约束的关键路径并输出信号；根据输出信号调整电压值，复制关键路径，确定芯片当前受约束的关键路径能工作的临界频率；根据芯片当前受约束的关键路径能工作的临界频率进行调压，同时，将该临界频率反馈给CPU内核。本发明支持芯片内部的多电源域，在不同工作模式下，动态调节电压和频率。

主权项：1.一种基于RISC架构芯片的多电源域自适应调压方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、采集RISC-V架构芯片的当前运行电压、频率和温度，所述RISC-V架构芯片包括以下五种工作模式：正常模式、低功耗模式1、低功耗模式2、睡眠模式和深度睡眠模式；S2、保存获取数据，分析RISC-V架构芯片当前受约束的关键路径并输出信号；S3、根据输出信号调整电压值，复制关键路径，确定RISC-V架构芯片当前受约束的关键路径能工作的临界频率；这一过程中，复制关键路径使用双堆叠形式的延迟模块，延迟模块包括使用双堆叠形式的PMOS管和NMOS管，PMOS管有8个，分别称为P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8，NMOS管有6个，分别称为N1、N2、N3、N4、N5、N6，其中：P1、P3、P5、P7的源极连接到电源电压VDD，P1、P3、P5、P7的漏极对应连接到P2、P4、P6、P8的源极；N2、N4、N6的源极连接到接地GND，N2、N4、N6的漏极连接到N1、N3、N5的源极；P2的漏极对应连接到N1的漏极，且P2和N1的共同连接点Q1输出到P3、P4和N4的栅极；P4和P6的漏极连接到N3的漏极，且P4、P6和N3三者的共同连接点Q2控制P8、N5和N6的栅极；复位信号RST接入到P1、P2、P7、N1和N2的栅极，输入信号IN接入到P5、P6和N3的栅极，P8和N5的漏极相连后输出OUT信号；所述RISC-V架构芯片处于正常模式、低功耗模式1和低功耗模式2下，延迟模块工作，此时，复位信号RST高电平有效；在复位信号RST是高电平时，P1和P2断开，N1和N2导通，连接点Q1处为低电平，P3和P4导通，连接点Q2为高电平，N5和N6导通，输出信号OUT置零；在复位信号RST是低电平、且输入信号IN上出现一个上升沿时，连接点Q1处为高电平，N3和N4导通，连接点Q2为低电平，P7和P8导通，且N5和N6截止，输出信号OUT为高电平，输出一个上升沿，从而实现对输入信号的固定延时处理，确定RISC-V架构芯片当前受约束的关键路径能工作的临界频率；S4、根据RISC-V架构芯片当前受约束的关键路径能工作的临界频率进行调压，同时，将该临界频率反馈给CPU内核。

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