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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种MOS晶体管的制备方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域，第一区域和第二区域中均形成有若干隔离沟槽，每个隔离沟槽中形成有沟槽隔离结构，且沟槽隔离结构包括由下至上依次堆叠的第一隔离氧化层、氮化层和第二隔离氧化层；以氮化层作为刻蚀停止层，刻蚀去除第一区域中的第二隔离氧化层以暴露出隔离沟槽侧壁的部分衬底；在第一区域和第二区域中分别形成第一阱区和第二阱区；以及，形成栅极结构位于第一区域和第二区域上，使得栅极结构共形覆盖第一区域中的氮化层和隔离沟槽侧壁暴露的部分衬底。本发明实现提升第一区域中的MOS晶体管的导通电流和性能。
主权项：1.一种MOS晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域中均形成有若干隔离沟槽，每个所述隔离沟槽中形成有沟槽隔离结构，且所述沟槽隔离结构包括由下至上依次堆叠的第一隔离氧化层、氮化层和第二隔离氧化层；以所述第一区域中的所述氮化层作为刻蚀停止层，刻蚀去除所述第一区域中的所述第二隔离氧化层以暴露出所述隔离沟槽侧壁的部分衬底；在所述第一区域中形成第一阱区和在所述第二区域中形成第二阱区；以及，形成栅极结构位于所述第一区域和所述第二区域上，使得所述栅极结构共形覆盖所述第一区域中的所述氮化层和所述隔离沟槽侧壁暴露的部分衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 MOS晶体管的制备方法
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