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申请/专利权人：常州臻晶半导体有限公司
摘要：本实用新型属于晶体生长观察技术领域，具体涉及一种导光成像装置及液相法碳化硅单晶炉，包括：导光机构和摄像机构；所述导光机构设置在单晶炉中；所述摄像机构设置在单晶炉外，所述摄像机构适于对准所述导光机构；所述摄像机构适于通过所述导光机构拍摄单晶炉中单晶生长区域的图像；实现了液相法碳化硅单晶炉生长界面实时监控，减少对生长界面温场的影响，同时增加监控面积，满足SiC单晶生长的要求。
主权项：1.一种导光成像装置，其特征在于，包括：导光机构和摄像机构；所述导光机构设置在单晶炉中；所述摄像机构设置在单晶炉外，所述摄像机构适于对准所述导光机构；所述摄像机构适于通过所述导光机构拍摄单晶炉中单晶生长区域的图像。
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权利要求：
百度查询： 常州臻晶半导体有限公司 一种导光成像装置及液相法碳化硅单晶炉
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