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申请/专利权人:四川虹基光玻新材料科技有限公司;北京远大信达科技有限公司
摘要:本公开提供一种磁控溅射薄膜制备装置,涉及金属化合物薄膜制备技术领域,包括真空腔室,真空腔室内转动连接有支架,支架上用于安装待制膜基片;金属靶材,金属靶材设置在真空腔室的内壁上且位于在支架的一侧;电感耦合等离子体线圈,电感耦合等离子体线圈设置在真空腔室的内壁上且位于支架的另一侧;和第一气管,第一气管于电感耦合等离子体线圈的附近伸入真空腔室中,第一气管用于通入制膜时待电离的气体;可以避免在利用金属靶材磁控溅射制备金属氧化物或氮化物过程中,金属靶材氧化或氮化反应出现靶中毒的问题。
主权项:1.一种磁控溅射薄膜制备装置,其特征在于,包括:真空腔室1,所述真空腔室1内转动连接有支架8,所述支架8上用于安装待制膜基片3;金属靶材2,所述金属靶材2设置在所述真空腔室1的内壁上且位于在所述支架8的一侧;电感耦合等离子体线圈6,所述电感耦合等离子体线圈6设置在所述真空腔室1的内壁上且位于所述支架8的另一侧;和第一气管4,所述第一气管4于所述电感耦合等离子体线圈6的附近伸入所述真空腔室1中,所述第一气管4用于通入制膜时待电离的气体。
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