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申请/专利权人：西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学
摘要：本发明提供一种浮空结构氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用，包括衬底层、Ga2O3薄膜以及金属电极，其中衬底层靠近Ga2O3薄膜的表面部分凹陷形成一个凹槽，Ga2O3薄膜搭设在凹槽上方覆盖凹槽以形成浮空结构，金属电极通过沉积和图案化过程形成于衬底层上并通过退火处理与Ga2O3薄膜形成欧姆接触，解决目前Ga2O3薄膜型氧化镓紫外光电探测器普遍存在响应度和探测率存在矛盾的问题，为高性能的氧化镓紫外探测器的设计和优化提供了新的思路。
主权项：1.一种浮空结构氧化镓紫外探测器，其特征在于，包括：衬底层（10）、Ga2O3薄膜（20）以及金属电极（30），其中衬底层（10）靠近Ga2O3薄膜（20）的表面部分凹陷形成一个凹槽（11），Ga2O3薄膜（20）搭设在凹槽（11）上方覆盖凹槽（11）以形成浮空结构，金属电极（30）通过沉积和图案化过程形成于衬底层（10）上并通过退火处理与Ga2O3薄膜（20）形成欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学杭州研究院 西安电子科技大学 浮空结构氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用
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