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半导体器件及其版图设计方法 

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申请/专利权人:武汉新芯集成电路股份有限公司

摘要:本发明提供了一种半导体器件及其版图设计方法,堆叠结构中的相邻的两个半导体基板之间具有混合键合层,混合键合层内的散热结构包括至少两个电性连接的虚设焊盘,相邻的两个混合键合层内相对应的散热结构通过第一互联结构电性连接,混合键合层包括键合的第一介质层和第二介质层,每个散热结构中的一部分虚设焊盘位于第一介质层中,另一部分虚设焊盘位于第二介质层中,堆叠结构上的散热层通过第二互联结构与相邻的混合键合层内的所有散热结构电性连接。散热结构与第一互联结构可以实现器件水平方向和垂直方向上的导热,改善积热问题;同时,散热结构是由虚设焊盘构成的,不会占用布线资源,有利于器件小型化。

主权项:1.一种半导体器件,其特征在于,包括堆叠结构及位于所述堆叠结构上的散热层,所述堆叠结构包括至少两个堆叠的半导体基板,相邻的两个所述半导体基板之间具有混合键合层,所述混合键合层内具有至少一个散热结构,每个所述散热结构均包括至少两个电性连接的虚设焊盘,相邻的两个所述混合键合层内相对应的所述散热结构通过第一互联结构电性连接,所述散热层通过第二互联结构与相邻的所述混合键合层内的所述散热结构电性连接;以及,所述混合键合层包括键合的第一介质层和第二介质层,每个所述散热结构中的一部分所述虚设焊盘位于所述第一介质层中,另一部分所述虚设焊盘位于所述第二介质层中。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 武汉新芯集成电路股份有限公司 半导体器件及其版图设计方法

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